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성균관대·삼성전자 공동연구, ACS NANO 게재

성균관대·삼성전자 공동연구, ACS NANO 게재

기사승인 2014. 09. 12. 09:29
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성균관대학교는 에너지과학과 마크 러멜리 교수와 삼성전자 종합기술원의 손인혁 박사 연구팀이 이산화탄소를 이용해 니켈 표면에서 저온 고결정성 그래핀을 형성하는 데 성공했다고 12일 밝혔다.

공동연구팀은 이산화탄소를 활용해 니켈 표면을 약한 산화층(NiOx)으로 만든 뒤 탄소 확산을 저지, 그래핀 층수를 낮췄다. 이를 통해 결정성이 높아져 니켈 표면에서 저온 고결정성 그래핀이 형성될 수 있었다.

이번 연구는 지구온난화의 주범인 이산화탄소를 이용해 그래핀 성장의 메커니즘을 조절했다는 점에서 혁신적인 것으로 평가받고 있다고 성균관대 측은 전했다.

삼성전자와 기초과학연구원(IBS)의 지원을 받아 진행된 이번 연구 결과는 미국 화학 학회(ACS)에서 발간하는 나노분야 국제학술지 ‘ACS NANO’에 게재됐다.
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