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삼성전자, 韓·中·美 삼각존으로 반도체 ‘초격차’ 전략 펼친다

삼성전자, 韓·中·美 삼각존으로 반도체 ‘초격차’ 전략 펼친다

기사승인 2016. 11. 04. 06:00
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삼성전자가 한국·중국·미국 등 세 축을 기반으로 반도체 ‘초격차’ 전략에 박차를 가하고 있다. 기흥과 평택, 중국 시안공장에서는 메모리반도체에, 미국 오스틴공장에선 시스템반도체에 집중적으로 투자하며 종합 반도체 1위 기업으로 자리매김하기 위해서다. 글로벌 1위 분야인 메모리 반도체뿐 아니라 향후 사물인터넷(IoT)과 인공지능 등 미래산업을 떠받칠 시스템 반도체 분야의 경쟁력까지 확보하겠다는 전략으로 풀이된다.

3일 업계에 따르면 삼성전자는 2일(현지시간) 미국에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 개최하고 최첨단 미세공정 기술을 공개했다. 김기남 삼성전자 반도체총괄 사장이 직접 참석한 가운데 14나노 공정(4세대)과 더욱 정교한 패터닝 작업이 필요한 10나노 공정(3세대)을 확대한다는 계획이다. 포럼에서 반도체 위탁생산(파운드리) 업체로서 기술력을 선보이며 미국과 중국 등 반도체 업체들의 주문을 확보하겠다는 의도다. 삼성전자는 지난해 1월 모바일 AP 업계 최초로 14나노 공정 양산을 시작한 데 이어 지난달 세계 최초로 10나노 공정 양산에 돌입했다.

이와 함께 비메모리 반도체 분야에 대대적인 투자계획도 발표했다. 삼성전자는 내년 1분기까지 미국 텍사스 오스틴 비메모리 반도체 공장에 10억달러(약 1조원)를 투자한다. 전자기기 시스템온칩(SoC) 제품 수요 대응을 위한 생산능력을 확대하기 위해서다. 1997년 설립된 미국 오스틴공장의 S2라인은 2011년 SoC 전용라인으로 전환된 이후 애플과 퀄컴 등의 모바일 AP를 양산하는 파운드리 전용라인으로 사용되고 있다. 이번 투자는 2012년 40억달러를 투자한 이후 첫 대규모 투자다. 애플·퀄컴·엔비디아 등 기존 고객과의 파운드리 사업을 강화하기 위한 전략으로 분석된다. 삼성전자는 애플 아이폰6에 탑재되는 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 수주를 대만 TSMC에 빼앗긴 뒤 대규모 투자로 다시 한번 의지를 다지고 있다.

삼성전자는 시스템 반도체에 다양한 기술을 접목해 모든 기기와 서비스를 연결하는 개방형 생태계를 조성하겠다는 의지를 드러내고 있다. 삼성전자는 10월 한 달 동안 자연어 기반 인공지능 업체인 ‘비브랩스’와 기업용 스마트폰 보안 솔루션 기술을 가진 ‘타키온’을 인수했다. CB 인사이츠에 따르면 2010년부터 현재까지 인공지능 분야에 가장 많이 투자한 벤처투자가 순위에서 삼성벤처투자는 인텔, 구글, GE에 이어 4위에 올랐다.

삼성전자는 지난 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 향후 인공지능 서비스 도입 계획에 대해 “기존 앱서비스 중심에서 음성인식 등 인공지능에 중점을 맞춰 전환중”이라며 “중요 역량은 인수합병을 통해 확보하고 스마트폰·태블릿·TV 등 다양한 가전제품을 음성을 통해 인터페이스로 연결하는 것을 목표로 한다”고 밝혔다.

메모리 반도체에서도 대대적인 투자를 집행하고 있다. 삼성전자는 내년 상반기부터 화성공장(2라인)에서 월 4만장 규모의 3D 낸드를 생산, 시장을 주도해나갈 것으로 분석된다. 평택공장 역시 연내 완공되고 내년 초부터 장비 발주가 시작될 전망이다. 16조원이 투자된 평택공장의 생산능력은 월 10만장 규모에 달할 것으로 예상된다. 유진투자증권에 따르면 삼성전자뿐 아니라 후발주자인 SK하이닉스, 일본 도시바, 미국 마이크론 등 글로벌 메모리반도체들의 3D 낸드 투자 확대로 올해 글로벌 낸드 투자규모는 전년 대비 31.2% 증가한 13조5300억원에 달할 전망이다.

삼성전자는 중국 시안공장에도 월 12만장 규모의 3D 낸드 생산시설을 갖추기 위해 약 10조원을 투입했다. 삼성전자는 2013년 8월 3D 낸드 양산을 발표한 이후 2014년 1분기부터 중국에서 3D 낸드를 본격 생산하며 시장을 독점하고 있다. 대용량화와 막대한 데이터의 이동이 필수적인 제4차 산업혁명에 맞춰 3D 낸드에 선제적으로 투자한 덕분에 삼성전자와 후발업체들과의 기술격차는 약 3년가량 벌어진 것으로 평가된다.
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