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삼성전자, 경기도 화성에 최첨단 반도체 라인 착공
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삼성전자, 경기도 화성에 최첨단 반도체 라인 착공

김민수 기자 | 기사승인 2018. 02. 23. 11:00
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사진1_180223_삼성전자 화성 EUV라인 기공식
23일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 ‘화성 EUV라인 기공식’에서 참석자들이 기념사진을 촬영하고 있다.(왼쪽 7번째부터) 황성태 화성시 부시장, 김기남 삼성전자 DS부문장, 권칠승 화성병 국회의원, 정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부장 / 제공=삼성전자
삼성전자가 23일 경기도 화성캠퍼스에서 ‘삼성전자 화성 EUV 라인 기공식’을 열고 본격적으로 라인 건설에 착수했다. 이번에 착공하는 화성 EUV라인은 2019년 하반기에 완공, 시험생산을 거쳐 2020년부터 본격 가동을 시작할 예정이다.

이번 신규라인에는 미세공정 한계 극복에 필수적인 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 장비가 본격 도입될 예정으로 삼성전자가 향후 반도체 미세공정 기술 리더십을 유지하는 데 핵심 역할을 할 것으로 예상된다.

반도체 산업은 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고 세밀한 회로를 구현하며 반도체의 성능과 전력효율을 향상시켜왔다. 그러나 최근 한 자리 수 나노 단위까지 미세화가 진행됨에 따라 보다 세밀한 회로를 구현하기 위해서는 기존 ArF(불화아르곤) 광원보다 파장이 짧은 EUV 장비의 도입이 불가피해졌다.

삼성전자는 “EUV 기술이 본격 상용화되면 반도체의 성능과 전력효율을 향상시킬 수 있고, 회로 형성을 위한 공정수가 줄어들어 생산성도 획기적으로 높일 수 있다”고 설명했다.

삼성전자는 화성 EUV라인을 통해 모바일·서버·네트워크·슈퍼컴퓨터(HPC) 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 적기 대응하고, 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나갈 계획이다.
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23일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 ‘화성 EUV라인 기공식’에서 김기남 삼성전자 DS부문장이 기념사를 하고 있다. / 제공=삼성전자
화성 EUV라인의 초기 투자규모는 건설비용 포함 2020년까지 60억 달러(약 6조4770억원) 수준으로, 삼성전자는 라인 가동 이후 시황에 따라 추가 투자를 추진할 계획이다.

지난 2000년도 삼성전자 화성캠퍼스 개발로 시작된 삼성전자와 화성시의 동반성장은 이번 EUV 신규라인 건설로 더욱 확대될 전망이며, 화성시는 첨단 반도체 산업의 메카로서의 입지를 확고히 하게 됐다.

이날 기공식에는 권칠승 국회의원(화성시병), 황성태 화성시 부시장, 삼성전자 DS부문장 김기남 사장, 파운드리 사업부장 정은승 사장, 지역주민 등 약 300명이 참석했다.

김기남 사장은 기념사를 통해 “이번 화성 EUV 신규라인 구축을 통해 화성캠퍼스는 기흥·화성·평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것”이며, “삼성전자는 산학연 및 관련 업계와의 다양한 상생협력을 통해 국가경제에 기여할 것”이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 파운드리 7나노 공정부터 EUV 기술을 적용하기 위한 연구개발을 지속적으로 수행해 왔다. 최근에는 퀄컴과 7나노 EUV 공정을 활용한 5G 칩 생산에 협력하기로 했다. 삼성전자의 7나노 공정은 10나노 공정 대비 면적을 40% 축소할 수 있고, 성능 10% 향상 및 동일 성능에서 35% 향상된 전력 효율을 제공한다.
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삼성전자 화성캠퍼스 EUV 라인 조감도 / 재공=삼성전자


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