삼성이 미국서 공개한 반도체 기술은…256GB D램 모듈·7나노 EUV

17일(현지 시각) 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 주최한 ‘삼성 테크 데이 2018’에서 최주선 미주 지역총괄 부사장이 개회사를 하고 있다. /제공=삼성전자

삼성전자가 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리서 발표한 반도체 신기술은 경쟁사들보다 한 발 앞선 것들이었다. 최근 반도체 시장이 고점에 다다랐다는 분석이 나오고 있는 가운데 삼성은 기술로 시장 우위를 놓치지 않겠다는 의지를 실제 신제품과 기술로 강조했다.

이날 삼성전자 메모리사업부는 서버용 ‘256GB 3DS RDIMM’과 엔터프라이즈향 7.68TB 4비트 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술 등 차세대 신제품과 신기술을 대거 소개했다.

3DS RDIMM은 실리콘 3D 적층 기술을 활용해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램 모듈이다. 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재해 기존 ‘128GB RDIMM’ 대비 용량이 2배 확대, 전력효율은 30% 개선됐다. 서버용 D램은 반도체 매출로 연결되는 비중이 가장 큰 사업 부문이다. 기존 시장이 64GB로 수요 대응을 하고 있는 상황에서 삼성전자는 2단계 가까이 차이를 벌린 셈이다.

장성진 메모리 D램 개발실 부사장은 “2017년 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급(1y) D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어, 업계 최초 256GB DIMM 양산, LPDDR5, GDDR6 및 HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다”고 밝혔다.

파운드리사업부도 괄목할 만한 내용을 발표했다. 파운드리 업계 1위인 대만의 TSMC와 7나노 공정을 놓고 첨예한 경쟁을 벌이고 있는 가운데, 삼성전자는 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.

최근 반도체 공정이 10나노 이하로 접어들면서 불화아르곤(ArF)을 사용하는 기존의 노광 공정은 한계에 이르렀다. EUV는 불화아르곤을 대체할 수 있는 노광 장비의 광원으로 불화아르곤의 파장의 길이가 14분의 1 미만에 불과해 보다 세밀한 반도체 회로 패턴을 구현하는데 적합하다. 복잡한 멀티 패터닝 공정을 줄일 수 있어 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있다.

파운드리는 메모리 사업부문보다 전체 매출에서 차지하는 비중은 작지만 향후 메모리 호황기가 종료됐을 때를 대비할 수 있는 주요 부문으로 꼽힌다. 삼성이 미국의 반도체 및 통신장비 기업 퀄컴과 7나노 파운드리 협력을 확대하는 등 파운드리를 강조하는 이유다.

밥 스티어 삼성전자 DS부문 미주총괄 시니어 디렉터는 “7LPP 공정은 삼성전자가 EUV 노광 기술을 적용하는 첫 번째 파운드리 공정으로 삼성전자는 이번 생산을 시작으로 7나노 공정의 본격 상용화는 물론 향후 3나노까지 이어지는 공정 미세화를 선도할 수 있는 기반을 확보했다”고 발표했다.

삼성전자는 미국·중국·한국·일본에 이어 18일(현지시간) 독일 뮌헨에서 유럽 지역의 고객과 파트너를 대상으로 파운드리 포럼을 개최, 7나노 공정에 대한 자세한 소개를 포함한 첨단 공정 로드맵을 발표할 예정이다.