“삼성전자, ‘초격차’로 반도체 기술력 경쟁사 압도”

12일 NH투자증권은 삼성전자에 대해 “최근 경쟁사들과의 기술력 격차가 확대되고 있다”며 투자의견 매수, 목표주가 6만원을 각각 유지했다.

삼성전자는 최근 경쟁사들과의 기술력 격차를 확대시킬 수 있는 극자외선 노광장비(EUV), 6세대 3D NAND, 쿼드레벨셀(QLC: 메모리당 최소저장단위를 3비트에서 4비트로 늘린 저장방식), Z-SSD 등 기술을 개발했다. 도현우 NH투자증권 연구원은 “2019년부터 삼성전자와 경쟁사간 기술력 격차가 확대될 것”이라 전망했다.

‘초격차’는 경쟁사와 비교 불가한 절대적 기술 우위로 경쟁력을 높이겠다는 삼성전자의 전략이다. 2019년 삼성전자와 경쟁사 간 기술 격차는 더욱 확대될 것으로 보인다. 10월 삼성전자는 미국에서 ‘삼성 테크데이’ 행사를 개최했다. 행사에서 삼성전자가 EUV를 적용한 7nm(10억분의 1m) 파운드리 공정, 256GB 3DS RDIMM, QLC 서버용 SSD, 6세대 3D NAND, 2세대 Z-SSD 등을 공개했다.

삼성전자는 EUV를 적용한 7nm LPP 파운드리 공정 웨이퍼 생산을 최초로 시작했다. 도 연구원은 “7nm에서 경험을 쌓은 후 차세대 5nm 공정에서 삼성전자의 EUV 기술력이 빛을 발할 것”이라 평가했다. 특히 삼성전자의 EUV는 DRAM 1ynm(10나노 중후반)에도 시험 적용될 전망이다. 1znm(10나노 중반) 이후 EUV 장비 컨트롤 능력이 높은 업체와 그렇지 못한 업체 간 기술력 차이가 벌어질 것으로 예상된다.

6세대 3D NAND도 공개했다. 삼성전자는 92단에 이어 128단도 싱글 스태킹으로 구현했다. 64단에서는 업체 간 격차가 줄었지만 92단부터 격차는 다시 확대될 전망이다. 경쟁사는 64단부터 더블 스태킹을 적용한다. 단수가 올라갈수록 싱글 스태킹과 더블 스태킹 간 제조 단가와 내구성 차이가 확대된다. 최근 수익성이 줄기 시작한 NAND 사업에서 삼성전자의 경쟁력이 돋보일 것으로 예상되는 이유다.

2019년부터는 QLC SSD 시장이 본격화될 전망이다. QLC는 현재 주력 TLC 대비 30% 생산성이 높다. 약점은 낮은 내구성이다. 3D NAND 단수가 올라가면 내구성이 추가로 낮아진다. 삼성전자 92단 3D NAND의 막질 균일도는 경쟁사 대비 크게 높다. QLC 구현 시 경쟁사의 TLC와 비교할 수 있는 내구성 획득이 가능하다. 도 연구원은 “2019년 QLC 시장이 본격적으로 열릴 때 삼성전자의 경쟁력이 크게 부각될 것”이라 전망했다.

삼성전자가 최근 공개한 파운드리, 메모리 기술을 봤을 때 경쟁사와 기술력 격차는 2019년부터 확대될 것으로 보인다. 도 연구원은 “호황일 때는 업체간 기술력과 수익성 차이가 두드러지지 않는다”며 “차이는 업황 둔화기에 극대화된다”고 예상했다.