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SK하이닉스, 중국 우시 확장팹 준공…D램 격차 벌린다

SK하이닉스, 중국 우시 확장팹 준공…D램 격차 벌린다

기사승인 2019. 04. 18. 14:00
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SK하이닉스 그래픽
이석희 SK하이닉스 CEO가 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다. /제공=SK하이닉스
SK하이닉스가 18일(현지시간) 중국 우시 반도체 공장 C2 확장팹을 준공하고 D램 생산 효율을 끌어올린다. 이는 ‘반도체 굴기’를 선언한 중국 현지에서의 반도체 증산이자, 중장기 경쟁력을 확보했다는 데 의미가 있다.

이날 준공식 행사에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로 SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300㎜ 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.

이후 공정 미세화에 따라 공정 수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지자 SK하이닉스는 2016년도 12월 우시 확장팹 건설을 발표, 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산 공간을 확보했다.

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

반도체 업계에 따르면 현재 반도체 기술 기준, C2F를 100% 가동했을 시 D램의 생산능력은 약 38% 증가하게 된다.

강영수 SK하이닉스 우시FAB담당 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹’으로 운영함으로서 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

한편 최근 반도체 업황은 지난해 연말부터 하락세를 타고 있다. 올해 2월 반도체 수출은 68억7000만달러로 작년 동기 대비 25%가량 줄었고 3월 반도체 수출액은 90억달러로 17%가량 감소했다.

다만 업계에서는 올해 하반기부터 다시 안정 국면을 찾을 것이라는 전망을 내놓고 있다. 하이투자증권은 중국의 스마트폰 출하량이 개선되는 등 전 세계 스마트폰 시장이 회복되기 시작했으며 이에 따라 반도체 업황도 최악의 상황에서 벗어나고 있다고 분석했다.
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