• 아시아투데이 로고
양희준 성균관대 교수, 테라비트급 초고속·초절전 비휘발성 메모리 개발
2019. 12. 16 (월)
  1. 춘천
  2. 강릉
  3. 서울
  4. 인천
  5. 충주
  6. 대전
  7. 대구
  8. 전주
  9. 울산
  10. 광주
  11. 부산
  12. 제주

뉴델리 12.2℃

도쿄 3.5℃

베이징 -0.2℃

자카르타 27.4℃

양희준 성균관대 교수, 테라비트급 초고속·초절전 비휘발성 메모리 개발

김서경 기자 | 기사승인 2019. 07. 19. 20:54
  • 페이스북 공유하기
  • 트위터 공유하기
  • 카카오스토리 공유하기
  • 카카오톡 링크
  • 주소복사
  • 기사듣기실행 기사듣기중지
  • 글자사이즈
  • 기사프린트
양희준 교수
양희준 성균관대학교 에너지과학과 교수<사진> 연구팀이 2차원 소재 그래핀과 질화 붕소(h-BN)를 활용, 테라비트급(Terabit, 1012개 메모리 집적소자) 초고속 초절전 비휘발성 메모리 소자를 개발했다.

19일 성균관대에 따르면 양 교수 연구팀은 테라비트급 집적도와 낸드플래시에 비해 1000배 적은 에너지로 현재 사용되는 메모리보다 100배 빠른 초고속·초절전 메모리 개발이 가능함을 증명했다.

앞서 실리콘 이외의 다른 소재(산화물 반도체, 2차원 소재)를 활용한 상변화 메모리(PRAM), 저항 메모리(RRAM) 등이 활발하게 연구됐다.

하지만 실리콘 공정 중심의 메모리 구현과 비교해 새로운 소재의 안정적 동작 및 기존 CMOS 설계와 다른 고집적화 방법에서 많은 기술적 난관이 존재했다.

연구팀은 본 연구에서 2차원 소재, 그래핀과 질화붕소(h-BN)를 활용해 새로운 개념의 ‘자가 선택 메모리(self-selective memory)’를 개발했고 이를 통해 기존의 트랜지스터를 활용하지 않고도 그래핀의 우수한 기계적, 전기적 특성과 질화붕소를 통한 양자 터널링 특성을 융합하여 새로운 개념의 메모리 소자를 개발할 수 있었다.

양 교수는 “테라비트급 초고속·초절전 비휘발성 메모리 개발은 4차 산업혁명 시대의 사물인터넷, 인공지능 등의 산업을 주도적으로 열 수 있는 핵심 기술”이라며 “이번 연구는 차세대 비휘발성 메모리 소자 개발을 위한 최대 난제를, 고전적인 실리콘 트랜지스터를 사용하지 않고 2차원 소재를 활용해 해결할 수 있는 방법을 보인 첫 사례”라고 말했다.

이번 연구는 국제학술지 ‘네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)’에 18일(한국시간) 자로 게재됐다.


ⓒ"젊은 파워, 모바일 넘버원 아시아투데이"


댓글
기사 의견쓰기