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삼성전자, 작년 R&D 투자 20兆 ‘사상 최대’…신사업·신기술 ‘집중’

삼성전자, 작년 R&D 투자 20兆 ‘사상 최대’…신사업·신기술 ‘집중’

기사승인 2020. 02. 26. 17:37
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삼성전자가 지난해 반도체 업황 악화에 따른 실적 부진에도 연구개발(R&D) 투자를 크게 늘린 것으로 나타났다. R&D 투자액은 사상 최초로 20조원을 돌파했고 매출액 대비 R&D 투자액이 차지하는 비율인 R&D 집중도도 8%를 처음 넘어섰다. 미·중 무역분쟁, 일본 수출규제에 이은 코로나19 여파로 대내외 불확실성이 확대되는 가운데 시스템반도체·퀀텀닷(QD) 디스플레이 등 신사업과 신기술에 대한 투자는 지속 확대될 전망이다.

26일 삼성전자가 최근 공시한 연결감사보고서에 따르면 지난해 R&D 투자액은 20조1929억원으로 전년 대비 8.3% 증가했다. 지난해 메모리 가격 하락으로 인한 반도체 사업 부진으로 매출액과 영업이익이 전년 대비 각각 5.5%, 52.8% 감소했지만, R&D 투자액은 오히려 늘었다. 이에 따라 지난해 R&D 집중도도 8.8%를 기록하며 전년 대비 1.1%포인트 상승했다.

삼성전자의 지난해 R&D 투자는 시스템반도체와 QD 디스플레이에 집중된 것으로 추정된다. 삼성전자는 지난해 4월 시스템반도체에 133조원을 투자한다는 내용의 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 이후 시스템반도체·파운드리(반도체 위탁생산) 등 비메모리 반도체 분야에 힘을 싣고 있다.

삼성전자 V1 라인 전경
삼성전자의 첫 극자외선(EUV) 전용 반도체 생산라인 ‘V1 라인’ 전경./제공 = 삼성전자
시스템반도체 육성 전략을 주도하고 있는 이재용 삼성전자 부회장 역시 새해 첫 현장 경영으로 화성사업장에 구축된 반도체 생산라인 ‘V1’을 직접 점검했다. ‘V1 라인’은 2018년 2월 60억달러(약 7조3100억원)를 투자해 착공한 이후 지난해 하반기 완공한 삼성전자의 첫 극자외선(EUV) 전용 반도체 생산라인이다. 이달 초 본격 가동을 시작한 V1 라인에서는 초미세 EUV 공정 기반의 7나노부터 차세대 기술인 ‘GAA(Gate-All-Around)’를 적용한 3나노 이하 파운드리 제품을 주력으로 생산한다.

지난달 초에 이어 이번 달 20일 V1 라인을 다시 찾은 이 부회장은 “지난해 우리는 이 자리에서 시스템반도체 세계 1등의 비전을 심었고 오늘은 긴 여정의 첫 단추를 꿰었다”며 “이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자”고 당부한 바 있다.

대형 디스플레이 주도권 확보를 위한 QD 디스플레이로의 전환에도 속도를 내고 있다. 삼성은 2025년까지 10조원을 투자해 삼성디스플레이의 액정표시장치(LCD) 생산라인을 QD 디스플레이로 전환하고 R&D에 3조1000억원을 투입할 계획이다. 삼성디스플레이는 QD 디스플레이 양산 체제 구축을 위해 지난달 조직 개편을 단행하고 전담 조직인 ‘QD사업화팀’을 신설한 것으로 알려졌다.

업계 관계자는 “글로벌 경영 환경의 불확실성이 지속되고 있는 상황에서 기존 핵심 사업뿐 아니라 미래 신성장동력을 육성하기 위한 연구개발 투자는 지속될 것”이라며 “삼성이 앞서 지목한 인공지능(AI)·5세대(5G) 이동통신·바이오·전장부품 등 4대 미래 성장사업에 대한 투자 향방도 주목된다”고 말했다.
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