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SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발…“내년 본격 양산”
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SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발…“내년 본격 양산”

정석만 기자 | 기사승인 2019. 10. 21. 11:05
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2세대 10나노급 D램 개발 11개월 만
업계 최고 수준 용량인 16Gb 구현
SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램_2
SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램.
SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) D램 반도체 개발에 성공하며 공정 미세화에 속도를 내고 있다. 지난해 11월 2세대 10나노급(1y) D램을 개발한 지 11개월 만이다. SK하이닉스는 연내 이 제품의 양산 준비를 완료하고 내년부터 본격 양산에 들어간다는 계획이다.

SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.

DDR는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로, 동작 속도와 전력 소비 등 D램의 성능 개선에 따라 DDR2, DDR3 등으로 구분한다. 이 제품은 DDR4 규격에 3세대 10나노급 미세공정을 적용한 것이다. 미세공정은 세대를 거듭할수록 생산하는 칩의 크기가 작아지고, 이에 따라 웨이퍼 1장에 들어가는 칩의 개수가 늘어나면서 생산성을 높일 수 있게 된다.

이번에 개발된 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다고 회사 측은 설명했다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다. 특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다. 또 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

아울러 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다고 SK하이닉스는 설명했다.

SK하이닉스의 이정훈 D램개발사업 1z TF장은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스의 3세대 DDR4 D램 개발은 삼성전자와 마이크론에 이어 세 번째다. 삼성전자는 지난 3월 3세대 10나노급(1z) 8Gb 제품을 개발 완료한 데 이어 지난 9월부터 양산에 돌입했다. 마이크론은 지난 8월 3세대 10나노급(1z) 16Gb DDR4램 개발을 공식화했다.

한편, SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 계획이다.


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