삼성전자, ‘초격차 전략’으로 비상…SK하이닉스·마이크론 추격 막는다

삼성전자가 2세대 10나노급 D램 양산에 나선 것은 경쟁사 대비 2년 정도 앞서 있는 기술 격차를 또다시 벌려 수익성을 극대화하기 나서기 위해서다. 삼성전자는 글로벌 메모리 시장 2·3위인 SK하이닉스·마이크론과의 ‘초격차 전략’을 유지하면서 ‘10나노급 D램 시대’를 본격화한다는 계획이다.

이번 2세대 10나노급 D램은 삼성전자가 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고 독자 기술을 개발해 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 30% 높인 것이 특징이다.

이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 △초고속·초절전·초소형 회로 설계 △초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 △2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’ 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.

먼저 초고속·초절전·초소형 회로 설계를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램 대비 속도는 10% 이상 향상됐고, 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다.

또 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 기술은 초정밀 전압차이 감지 시스템을 통해 셀(cell·정보 저장 공간) 데이터 읽기 특성을 2배 이상 향상시켰고, 2세대 에어 갭 공정은 불필요한 전하량을 최소화함으로써 셀 배열의 집적도를 향상시켜 칩 사이즈를 대폭 줄이는 데 활용된다.

2세대 에어 갭 공정은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 기술이다.

진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “3가지 첨단 혁신 공정 기술 개발을 통해 반도체 미세화 기술의 한계를 돌파했다”면서 “10나노급 2세대 D램의 생산을 확대해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 강조했다.

삼성전자는 현재 중앙처리장치(CPU) 업체와 2세대 10나노급 D램 모듈을 적용해 제품 테스트를 완료한 단계다. 지난달부터 양산에 돌입한 2세대 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램은 노트북에 탑재되는 제품으로, 향후 서버·모바일·그래픽 시장 등으로 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점해 나간다는 방침이다.

삼성전자의 메모리 반도체(D램·낸드플래시) 매출은 세계적인 데이터 사용량 증가 추세에 따라 2013년 218억 달러(약 23조5000억원)에서 지난해 330억 달러(약 35조6000억원)까지 증가했다.

시장조사기관 D램익스체인지에 따르면 지난 3분기 글로벌 D램 시장에서 삼성전자는 시장 점유율 45.8%로 전체의 절반을 차지했다. SK하이닉스는 28.7%, 마이크론은 21%로 뒤를 이었다.