산업부 “美 반도체법 인센티브 지원기준 일부 완화”

미국에서 3억 달러(약 4050억원) 미만의 반도체 제조시설 투자 등을 직접 보조로 지원하고 지원 규모도 투자액의 10%로 변경하는 내용 등을 담은 세부 계획안을 발표했다. 우리 정부는 이에 대해 "소규모 투자 대상임을 고려해 기존 지원 기준과 절차가 일부 완화했다"고 평가했다.

산업통상자원부는 29일(현지시간) 미 상무부에서 반도체과학법(반도체법)상 인센티브 프로그램 중 3억 달러 미만 소재·장비 제조시설 투자와 관련한 재정 인센티브 세부 지원계획(NOFO)을 공고했다고 밝혔다. 미 상무부는 2억 달러 미만의 투자는 지원하기 어렵다는 입장이다.

산업부는 "정부는 이번 공고가 업계에 미치는 영향과 관련해 업계와 긴밀히 논의하고 한국 기업의 원활한 투자·경영 활동을 지원하기 위해 미 정부와 협력할 계획"이라고 강조했다.

반도체법에 따라 미 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 △반도체 제조시설 △반도체 소재·장비 제조시설 △연구개발(R&D) 시설 투자에 관한 지원으로 구성됐다.

산업부에 따르면 이번 공고는 지난 2월28일에 발표된 반도체 제조시설과 웨이퍼 제조시설, 지난 6월23일에 발표된 3억 달러 넘는 소재·장비 제조시설 투자에 관한 지원 계획에 이어 발표된 세 번째 세부 지원 계획이다.

R&D시설 투자와 관련한 구체적인 내용은 추후에 발표될 것으로 예상된다. 미국 상무부는 이번 공고를 기존 세부 지원 계획과 별도의 문서로 공고했다. 소규모 투자를 대상으로 한다는 점을 고려해 기존에 발표된 지원 기준과 절차를 다소 완화하거나 변경한 것으로 분석된다.

이에 따라 대출이나 보증 등은 제외하고 직접 보조로 지원한다. 지원 규모에서는 일부 예외는 있지만 지원 범위는 기존에 투자액의 5~15%에서 10%로 변경한다. 다만 경제·국가안보면에서 강점이 있거나 상업적 생산을 위해 추가 지원이 필요하다면 20~30% 지원도 가능하다.

신청 기업들은 오는 12월1일부터 내년 2월1일까지 계획서를 제출하고 이를 기반으로 미 상무부가 선정한 기업들이 별도의 본 신청을 진행하도록 신청 절차도 변경된다.