TC 본더 1위 경쟁력 강화
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이번에 공개된 TC 본더 4는 HBM 적층 공정의 정밀성과 생산성을 대폭 향상시킨 장비로 최대 16단까지 적층 가능한 HBM4의 고난도 공정 특성에 맞춰 설계됐다. 곽동신 한미반도체 회장은 "이번 장비는 글로벌 반도체 고객사의 HBM4 생산에 적극 활용되며 향후 HBM4 시장 확대에 따라 매출에 크게 기여할 것"이라고밝혔다.
HBM4는 6세대 고대역폭 메모리로 전작인 HBM3E 대비 데이터 처리 속도가 60% 향상되고 전력 소비는 70% 수준으로 줄어든 차세대 제품이다. 특히 D램 용량이 32Gb로 확대되고 TSV(실리콘관통전극) 인터페이스 수가 2배(2048개)로 늘어나며 프로세서와 메모리 간의 데이터 전송 효율성이 크게 개선됐다.
그간 업계에서는 HBM4 양산을 위해 하이브리드 본딩 기술이 필요하다는 관측도 있었지만 지난 4월 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 HBM4 표준 높이를 775μm(마이크로미터)로 완화하면서 한미반도체의 기존 TC 본더 장비로도 대응이 가능해졌다. 이에 따라 HBM4 생산에서 한미반도체가 직접적인 수혜를 입을 것이란 전망이 나온다.
현재 한미반도체는 HBM3E 12단 본딩 공정에서 약 90% 이상의 글로벌 시장 점유율을 확보하고 있으며 HBM 관련 특허도 120건 이상을 보유 중이다. 엔비디아가 올해 하반기 선보이는 차세대 AI 칩 '블랙웰 울트라'의 HBM 생산에도 한미반도체 TC 본더가 활용될 예정이라는 점은 기술력의 입증 사례로 꼽힌다. 곽 회장은 "한미반도체의 HBM TC 본더 세계 점유율 1위 위상과 경쟁력은 변함이 없다"고 강조했다.