|
SK하이닉스가 최첨단 반도체 공정에 적용되는 극자외선(EUV) 장비로 차세대 D램 양산을 시작하며 최태원 SK그룹 회장이 언급한 더 큰 미래에 한발 다가갔다.
10나노급 4세대 D램에 EUV 공정을 적용한 것은 SK하이닉스가 업계 최초다. 이번 양산에 EUV 공정을 처음 활용한 EUV 신입생 SK하이닉스가 차세대 D램 생산 기술에서 경쟁사를 단번에 앞지른 셈이다.
차세대 D램 생산은 지난 2월 경기도 이천에 준공한 자사 최대 규모, 최첨단 생산시설인 M16라인 가동 5개월 만에 업계 최초로 이룬 쾌거로, SK하이닉스의 첨단 반도체 생산의 중요한 이정표가 될 것으로 기대를 모은다.
SK하이닉스는 이달 초 10나노급(nm, 10억분의 1m) 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.
LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. SK하이닉스는 해당 제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급할 예정이다.
반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 이날 SK하이닉스가 공개한 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 잇는 4세대 기술이다.
삼성전자는 지난해 업계 최초로 EUV 공정으로 1세대 D램 양산을 시작했지만, 4세대 양산은 공식화하지 않은 상태다. 세계 D램 점유율 3위인 미국의 마이크론도 지난달 4세대 D램 양산에 돌입했다고 밝혔지만, EUV를 활용한 공정은 아니다.
앞서 SK하이닉스는 2세대 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.
EUV 장비는 기존 불화아르곤(ArF) 장비 보다 14분의 1수준으로 짧은 파장의 광원으로 회로를 새기기 때문에 더 미세한 회로를 그릴 수 있다. 이 때문에 삼성전자, TSMC 등이 생산하는 5나노 이하 초미생공정이 필요한 시스템반도체 주로 쓰이지만, 최근 D램에서도 회로선폭을 좁힌 첨단 기술이 활용되고 있다.
SK하이닉스에 따르면 자사의 4세대 D램은 이전 3세대 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 수량이 약 25% 늘어나 원가 경쟁력이 높아진다. 또 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도, 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다.
SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 4세대 D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 방침이다.
SK하이닉스 1a D램 TF장 조영만 부사장은 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 최첨단 D램 생산을 위한 핵심 장비인 EUV 노광기도 안정적으로 확보했다.
SK하이닉스는 지난 2월 4조7549억원 규모의 EUV 장비를 확보했다고 밝힌 바 있다. EUV 장비가 대당 2000억~3000억원인 것을 감안하면 SK하이닉스가 오는 2025년까지 20대 이상의 노광기를 확보한 것으로 보인다.
네덜란드 ASML이 독점 생산하는 EUV 장비는 연간 40대 가량만 생산돼 점유 경쟁이 치열하다. 이재용 삼성전자 부회장이 해당 장비를 확보하기 위해 지난해 10월 코로나 사태 속에서도 네덜란드 ASML 본사를 직접 찾은 일화는 잘 알려져 있다.
업계 관계자는 “삼성전자, TSMC, 마이크론 등의 EUV 장비 확보 경쟁이 치열한 와중에 SK하이닉스가 장비를 안정적으로 수배했다는 사실은 주목할 만하다”고 귀띔했다.
