SK하이닉스 손윤익 엔지니어, ‘대한민국 엔지니어상’ 수상

HBM, 모바일용 저전력 D램 기술 인정 받아
'현장 기술 리더'…입사 19년차 소자 엔지니어

SK하이닉스 손윤익 팀장./SK하이닉스 뉴스룸

"기술은 결국 사람이 만듭니다. 그 사람들 간의 신뢰와 협업이 오늘날의 혁신을 가능케 했죠."

SK하이닉스는 '2025년 상반기 대한민국 엔지니어상 시상식'에서 미래기술연구원 DPERI 조직 손윤익 팀장이 산업기술개발 분야 최고 권위인 '대한민국 엔지니어상'을 수상했다고 18일 밝혔다.

손 팀장은 고성능 AI 반도체에 필수적인 HBM과와 모바일용 저전력 D램 기술을 개발한 공로를 인정받아 IT 엔지니어 부문 수상자로 선정됐다. SK하이닉스 입사 19년차 소자 엔지니어인 그는 성능, 전력, 신뢰성, 양산성을 아우르는 기술 과제를 해결해낸 '현장의 기술 리더'로 꼽힌다.

특히 D램에 고유전율 금속 게이트(HKMG) 공정을 세계 최초로 성공 적용하며 반도체 기술의 '패러다임 전환'을 이끈 인물로도 잘 알려져 있다. 해당 공정은 본래 CPU나 애플리케이션 프로세서와 같은 로직 반도체에서만 쓰이던 기술로, D램에 적용하기엔 높은 기술 장벽이 존재했다. 손 팀장은 끈질긴 연구 끝에 전력 효율과 성능을 동시에 끌어올리는 혁신을 이뤄냈다.

손 팀장은 "HKMG 도입은 단순한 기술 확장이 아닌, 새로운 사고방식이 필요한 도전이었다"며 "게이트 유도 드레인 누설(GIDL) 같은 고유 문제도 극복해야 했기에 많은 시행착오가 있었다. 하지만 그 과정을 통해 진정한 경쟁력을 확보할 수 있었다"고 강조했다.

또한 HBM 기술 고도화에 결정적 기여를 한 Peri(주변회로) 소자 개발 역시 손 팀장의 핵심 성과다. Peri 회로는 데이터를 저장하는 셀을 제어하고 입출력을 조율하는 부위로, 특히 AI 시대 고성능 메모리의 병목현상을 줄이는 데 필수적이다. 그는 "데이터의 입출구가 막히면 아무리 성능이 뛰어난 셀을 갖고 있어도 의미가 없다"며 "Peri 기술은 보이지 않는 곳에서 전체 시스템의 속도를 결정짓는 숨은 핵심"이라고 설명했다.

손 팀장 "한계를 마주할 때마다 함께 고민하고 해결책을 찾아준 동료들에게 감사한다"며 "'원팀 스피릿'으로 뭉친 이들과 함께 이번 수상의 기쁨을 나누고 싶다"고 말했다. 이어 "SUPEX를 향한 각자의 열정이 모여 오늘의 성과가 만들어졌다"고 소감을 밝혔다.