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열흘 새 18조원…반도체 투자 늘리는 삼성전자
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열흘 새 18조원…반도체 투자 늘리는 삼성전자

기사승인 2020. 06. 02. 00:02
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평택 2라인 파운드리 이어 낸드플래시 생산라인 구축
열흘새 18조원대 투자계획…D램 투자발표 이어질듯
1분기도 67% 증가…이 추세라면 지난해 투자 넘을듯
이미지① 평택캠퍼스 P2라인 전경
삼성전자 평택캠퍼스 2라인 전경. /제공=삼성전자
삼성전자가 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 여파로 불확실한 경영 환경 속에서도 열흘 새 18조원대(시장 추정치)의 반도체 시설 투자 계획을 밝히는 등 공격적인 투자를 이어가고 있다. 이 같은 투자 기조가 지속될 경우 올해 삼성전자의 반도체 설비 투자액은 지난해 수준을 넘어설 것으로 전망된다.

삼성전자는 1일 경기도 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축한다고 밝혔다. 지난달 21일 같은 사업장에 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 증설하겠다고 발표한 지 11일 만에 다시 나온 투자계획이다.

이번 추가 투자로 평택캠퍼스는 2015년 단지 조성을 위한 첫 삽을 뜬 지 5년 만에 메모리 반도체와 비메모리 반도체를 망라하는 최첨단 반도체 복합 생산기지로 거듭나게 됐다.

삼성전자는 평택캠퍼스 2라인의 한개 층을 EUV 파운드리 라인과 낸드플래시 라인으로 활용하고, 다른 한 개 층에는 메모리 반도체 D램 생산 라인을 추가 구축할 것으로 알려졌다.

삼성이 투자 금액을 공개하진 않았으나 업계에서는 지난달 발표한 파운드리 라인은 9조∼10조원, 이번 낸드플래시 라인은 7조∼8조원 규모에 달할 것으로 보고 있다. 평택 2라인에는 D램 생산라인도 갖춰질 예정이어서 이를 모두 합친 전체 투자액은 30조원 이상이 될 것이라는 전망이 나온다.

삼성전자는 지난해 1분기 반도체 시설 투자에 3조6177억원을 집행한 데 비해 올해 1분기에는 이보다 67% 늘어난 6조447억원까지 확대하는 등 투자를 지속적으로 늘리고 있다. 이 같은 추세대로라면 올해 삼성전자의 반도체 시설 투자 규모는 지난해 연간 투자액(22조5649억원)을 넘어설 것으로 관측된다.

글로벌 위기 상황 속에서 이 같은 삼성전자의 잇따른 투자계획 발표는 기술 초격차를 가속화하고 미래 시장을 선점하기 위해서는 선제투자가 필요하다는 전략에서다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다.


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