“삼성전자, 3나노 GAA기술 개발 및 파운드리 투자로 성장동력 확보”

NH투자증권은 21일 삼성전자에 대해 선제적 3나노(nm) GAA기술 개발과 파운드리 투자 확대가 장기 성장 동력 확보로 연결될 것이라고 전망했다. 투자의견은 매수, 목표주가는 5만5000원을 유지했다.

도현우 연구원은 “삼성전자가 지난주 미국에서 차세대 3나노 GAA(Gate-All-Around) 프로세스 디자인 키트를 공개했다”며 “파운드리 선두 업체 TSMC와 공정 격차 확대 가능성을 엿볼 수 있다는 측면에서 긍정적”이라고 밝혔다.

삼성전자의 3나노 양산 시점은2021년으로 GAA는 트랜지스터 게이트가 채널 4개면 모두에 배치되는 기술을 말한다. 도 연구원은 “현재 주력 기술 FinFET은 3개 면에 배치하는데, GAA는 구조가 복잡하고 일부 재료로 III-V(3-5족 화합물. 트랜지스터를 소형화하는 과정에서 겪는 노광 기술 한계 및 작아진 반도체 소자에서 발생할 수 있는 발열, 전류 누설 등 여러 문제를 근본적으로 해결할 수 있는 물질)가 사용될 가능성이 높다는 측면에서 공정 난이도가 매우 높을 것으로 예상한다”고 설명했다.

파운드리 공정 경쟁력은 TSMC가 삼성전자보다 높을 것으로 예상했다. TSMC가 7나노공정 양산을 먼저 시작했고, 애플 AP 등 양산 경험도 많기 때문. 그러나 3나노부터는 삼성전자의 경쟁력이 높아질 것으로 예상했다.

도 연구원은 “삼성전자가 2030년까지 파운드리 포함 비메모리 사업에 133조를 하겠다고 밝힌 만큼, 향후 파운드리 사업 비중이 상승해 회사 전체 밸류에이션 멀티플 상향이 가능할 전망”이라고 강조했다. 그러면서 “파운드리는 가격 변동이 크지 않고 수요를 확보해 생산에 들어가는 사업으로 메모리사업보다 이익 안정성이 높다”고 덧붙였다.