SK하이닉스, D램 성능 개선 직원에 ‘혁신특허포상’

SK하이닉스가 지난 23,24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 제4회 혁신특허포상 시상식을 가졌다. (왼쪽부터)SK하이닉스 특허담당 민경현 부사장, DRAM개발담당 차선용 부사장, DRAM개발 이강설 TL, 김용미 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장./제공=SK하이닉스

SK하이닉스는 반도체 분야에서 혁신특허를 받은 직원들을 대상으로 ‘제4회 혁신특허포상’ 시상식을 개최했다고 25일 밝혔다.

지난 23일과 24일 양일간 열린 시상식은 SK하이닉스의 김윤욱 지속경영담당 부사장과 민경현 특허담당 부사장 등 담당 임직원들이 직접 경기도 이천, 분당에서 근무하는 수상자들을 찾아가는 방식으로 진행됐다.

최고상(금상)은 D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 D램개발 이강설·김용미 TL과, D램 내부의 배선 간 컨택(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL에게 돌아갔다.

이외에도 SK하이닉스는 낸드, 이미지센서(CIS) 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 혁신특허를 발명한 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억4000만원을 수여했다.

SK하이닉스는 2018년부터 혁신특허포상 제도를 시행하고 있다.

SK하이닉스 관계자는 “SK하이닉스는 현재 전 세계 2만건 이상의 특허를 보유 중이며, 향후에도 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화할 방침”이라고 말했다.