SK하이닉스, 발열 잡는 모바일 D램 개발…고객사 ‘호평’

업계 최초 High-K EMC 소재 적용
열 저항 47% 줄여
최신 플래그십폰에 적합

SK하이닉스 고방열 모바일 D램./SK하이닉스

SK하이닉스가 업계 최초로 'High-K EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발, 글로벌 고객사에게 공급을 시작했다.

28일 SK하이닉스에 따르면 EMC는 반도체 패키지를 외부 충격·수분·전하 등으로부터 보호하고 열을 방출하는 후공정 필수 재료다. SK하이닉스는 기존 실리카(Silica) 대신 열전도 성능이 높은 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 High-K EMC를 새롭게 도입, 열전도도를 기존 대비 약 3.5배 높였다. 이를 통해 열 저항을 47% 줄이며 패키지 내부 열 누적 문제를 크게 개선했다.

최근 플래그십 스마트폰은 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package) 구조를 채택해 성능을 끌어올리고 있다. 하지만 고속 연산 과정에서 발생한 발열이 D램 내부에 축적되면서 전체 성능 저하로 이어지는 문제가 있었다.

SK하이닉스는 High-K EMC 기반 고방열 모바일 D램을 통해 이러한 한계를 극복했다. 회사는 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인"이라며 "이번 제품은 고사양 플래그십 스마트폰의 발열을 완화해 배터리 지속시간과 제품 수명을 늘리며 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있다"고 설명했다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당(부사장)은 "이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다"며 "소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다"고 밝혔다.