삼성·SK, 내년 고공성장 HBM 놓고 각축전 예고

HBM3E 비중 2026년 66% 전망
엔비디아 중심 수요 구조 당분간 유지
승부처는 2027년 HBM4 경쟁

SK하이닉스 HBM4 이미지./SK하이닉스

고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스의 선두 체제가 최소 내년까지는 공고할 것으로 전망된다. 다만 HBM4의 본격 양산 시점인 2027년부터는 삼성전자의 반격이 예상돼 시장 판도 변화에 관심이 쏠린다.

28일 LS증권에 따르면 2026년 전체 HBM 생산에서 HBM3E가 차지하는 비중은 66%로 예상된다. 올해 87% 보다 21%포인트 감소하지만 여전히 시장의 3분의 2를 차지하는 셈이다. HBM3E 시장에서 약 60%의 점유율로 1위를 차지하고 있는 SK하이닉스는 이 같은 제품 구성 속에서 당분간 주도권을 이어갈 것으로 보인다. 업계관계자는 "내년까지 시장 구도가 급변할 가능성은 적다"며 "SK하이닉스가 HBM3E 초기시장에서 확보한 레퍼런스와 양산경험이 크다"고 설명했다.

SK하이닉스의 강점은 HBM3E 조기 양산과 핵심 고객사 선점 등이다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 현재까지도 엔비디아 HBM 물량 대부분을 공급하는 것으로 알려졌다. 여기에 구글, 아마존, 마이크로소프트 등 주요 빅테크들이 자체 개발한 ASIC(주문형 반도체) 칩용 공급까지 확대하며 고객 포트폴리오를 넓히고 있다.

다만 시장의 관심은 2027년 본격화될 HBM4 경쟁으로 쏠리고 있다. HBM4는 단순 성능 개선을 넘어 첨단 공정 기술과 파운드리 협업이 핵심 변수로 떠오르면서 HBM3E와는 다른 양상의 경쟁이 예상되기 때문이다. HBM4 시장은 내년 하반기 엔비디아의 차세대 GPU '루빈'을 시작으로 2027년 본격 개화할 전망이다. 구글 'TPU 8세대', 아마존 '트레이니움 4세대', 마이크로소프트 'Maia 300' 등 주요 빅테크의 차세대 AI 칩들이 2027년께 출시되면서 HBM4 수요가 급증할 것으로 예상되면서다. 업계에서는 HBM4 출하량이 2027년 HBM3E를 넘어설 것으로 전망하고 있다.

이에 삼성전자는 HBM4를 역전의 기회로 삼고 있다. 주요 빅테크의 HBM3E 공급망 진입에는 성공했지만 시장 점유율에서는 SK하이닉스에 밀린 삼성전자가 기술 경쟁력을 앞세워 HBM4에서 판을 뒤집겠다는 전략이다. 삼성전자는 HBM4에 자사 파운드리 4나노 기반 베이스 다이와 6세대 10나노급 D램(1c) 공정 등 최신 기술을 총동원했다. 경쟁사인 SK하이닉스가 TSMC 12나노 베이스 다이와 5세대 10나노급 D램(1b) 공정을 활용하는 것과 비교하면 한 세대 앞선 기술을 적용한 셈이다. 삼성전자는 내부 기술 평가에서 11.7Gbps(초당 11.7기가비트) 수준의 업계 최고 성능을 확보한 것으로 전해졌다. 특히 최근 엔비디아의 HBM4 SiP(시스템 인 패키지) 테스트에서 최고 점수를 받으면서 공급 가능성이 높아졌다는 분석이 나온다. 삼성전자는 내년 초 HBM4 본격 양산에 돌입할 계획이다.

하지만 업계에서는 SK하이닉스의 HBM4 경쟁력도 만만치 않다고 평가하고 있다. 안정성, 수율, 발열 관리, 속도, 대량 공급 능력 등 HBM3E에서 입증한 기술력이 HBM4에서도 유리하게 작용할 것이란 분석이다. SK하이닉스는 지난 9월 이미 HBM4 양산 체제를 구축하고 대량의 유상 샘플을 엔비디아에 공급하고 있어 사실상 양산에 돌입한 상태다. 엔비디아와의 최적화 작업도 막바지 단계로 내년 초 최종품 양산에 나설 것으로 전해졌다.