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25일 한화세미텍은 개발을 마친 2세대 하이브리드본더 'SHB2 Nano'를 올 상반기(1~6월) 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행할 예정이라고 밝혔다.
하이브리드본딩은 칩과 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합하는 패키징 기술로, 16~20단의 고적층 HBM도 얇은 두께로 제조가 가능하다. 또 칩과 칩 사이 범프(Bump·납과 같은 전도성 돌기)가 없어 기존 제품 대비 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모도 적다.
현재 대부분 HBM은 열압착(TC) 본딩, 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 등의 결합 기술을 활용하고 있다. 다만 다음 세대 HBM이 16단 이상의 적층이 필요한 만큼 차세대 패키징 기술은 생산 효율을 가를 핵심 요소로 평가받는다.
한화세미텍의 하이브리드 본더 'SHB2 Nano'에는 위치 오차범위 0.1μm(마이크로미터) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 0.1 μm는 머리카락 굵기의 약 1/1000 수준이다. 2022년 1세대 하이브리드본더를 고객사에 공급한 데 이어 2세대 개발까지 성공한 만큼, 빠른 시일 내에 양산용 장비를 시장에 선보인다는 계획이다.
한화세미텍 관계자는 "첨단 기술 개발에 대한 지속적인 투자로 하이브리드본딩의 기술적 난제를 풀고 마침내 제품을 시장의 본궤도에 올릴 수 있게 됐다"면서 "이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장을 선도할 수 있는 또 다른 발판이 마련됐다"고 말했다.
하이브리드 본더 개발과 함께 TC본더 시장에서의 입지도 견고히 다져 나가겠다는 계획이다. 2세대 TC본더를 개발중으로, 본딩 헤드(head) 크기를 키운 TC본더와 칩과 칩 사이 간격을 줄인 플럭스리스(Fluxless) TC본더 등을 잇달아 선보일 계획이다.
한화세미텍은 신기술 개발을 위한 R&D 투자를 지속적으로 강화해 나간다는 방침이다. 실제 지난해 반도체 관련 R&D 비용은 전년 대비 50% 이상 증가했다. 현재 한화그룹이 추진 중인 인적 분할을 통해 테크 솔루션 부문이 신설 지주사 아래 편입되면, 보다 활발한 R&D 투자와 계열사 간 시너지가 생길 것으로 기대 된다.
