삼성, 차세대 EUV 도입 추진… ASML과 반도체 제조혁신 협력

ASML 대형 마스크 컨소시엄 참여
팹 생산성 높이고 칩 제조비용 낮춰
2028년 첫 적용 후 D램 미세화 가속
전영현 "반도체 제조 혁신 앞장설것"

전영현 삼성전자 대표이사 부회장이 ASML과의 협력을 바탕으로 차세대 반도체 제조 혁신에 앞장서겠다는 포부를 밝혔다. 삼성전자는 오는 2028년 업계 최초로 차세대 D램 제조에 High NA 극자외선(EUV) 기술을 도입하고, ASML이 주도하는 12인치 포토마스크 컨소시엄에도 참여해 차세대 미세공정 생태계 선점에 나선다.

High NA EUV는 기존 EUV보다 수치개구(NA)를 높여 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있는 차세대 노광 기술로, 향후 첨단 반도체 미세공정 전환의 핵심 기술로 꼽힌다. 전 부회장은 이를 기반으로 한 ASML과의 협력을 더욱 강화하면서 첨단 반도체 제조 리더십을 이어나가겠다고 강조했다.

8일 삼성전자는 네덜란드 반도체 노광설비 기업 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)'에 참여해 차세대 12인치 포토마스크 공동 개발에 나선다고 밝혔다. 컨소시엄은 현재 반도체 노광공정에 사용되는 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 공동 연구와 표준 개발 등을 추진한다. 포토마스크는 미세 회로 패턴을 새긴 정밀한 틀로, 노광설비에서 빛을 이용해 웨이퍼에 설계된 회로를 새기는 데 사용된다.

12인치 대형 마스크는 향후 High NA EUV 활용 과정에서 생산성과 경제성을 높일 수 있는 기술로 꼽힌다. 기존보다 큰 마스크를 사용하면 회로 패턴을 나눠 새긴 뒤 이를 연결하는 스티칭(Stitching) 제약을 해소할 수 있어 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.

특히 수백억개의 트랜지스터를 정밀하게 배치해야 하는 첨단 반도체에서는 High NA EUV의 미세 패터닝 성능을 보다 효과적으로 활용할 수 있어 수율과 생산성 개선에도 기여할 것으로 기대된다.

전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "AI시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고, 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다"며 "삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 차세대 AI를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 EUV 공정 경험을 바탕으로 12인치 포토마스크 전환 과정에서도 주도적인 역할을 한다는 계획이다. 2028년에는 업계 최초로 차세대 D램 제조에 High NA EUV를 도입한다. 기존 EUV보다 정밀한 패터닝이 가능한 High NA EUV를 선제 적용해 D램 미세화 로드맵을 연장하고 공정 단순화와 생산성 향상을 꾀한다는 전략이다.

High NA EUV와 대형 포토마스크가 향후 첨단 반도체 제조의 핵심 기술로 확산할 것으로 예상되는 만큼 삼성전자는 기술 전환 초기부터 관련 생태계 구축에 참여해 시장 주도권을 확보한다는 구상이다. ASML과도 High NA 장비 도입뿐 아니라 대형 마스크 공동 연구와 표준 개발까지 협력 범위를 넓히며 차세대 반도체 제조 분야의 파트너십을 강화할 전망이다.

크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML CEO는 "삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조의 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다"며 "AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이해 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다"고 말했다.

삼성전자와 ASML은 이번 협력을 통해 기술 혁신과 장기 파트너십에 대한 공동 의지를 보여주었으며 앞으로도 첨단 메모리와 혁신적인 제조 방식 등에서 추가 협력 기회도 지속적으로 모색할 예정이다.