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17일 세종대에 따르면 김 교수는 이번 대회에서 ‘직류 전환 메모리를 위한 Ni/HfO2/TiN 메모리 구조의 비선형 전류 움직임(Nonlinear Current Voltage Behaviors of Ni/HfO2/TiN Memory Structures for Self-rectifying Resistive Switching Memory)’로 수상의 영예를 안았다.
논문은 최근 비휘발성 메모리 연구 분야에서 차세대 메모리 소자로 주목받고 있는 저항변화 메모리(RRAM) 소자의 신뢰성과 성능 향상에 관한 연구 내용을 담고 있다.
논문은 추가적인 실험을 통해 ‘IEEE 일렉트론 디바이스 레터(Electron Device Letters)’ 저널에 투고될 예정이다.
김 교수는 “전문가 집단에서 자신의 분야에 대한 연구를 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 많은 다른 교수진들과 연구하여 더욱 이 분야의 발전에 기여하고 싶다”고 수상 소감을 밝혔다.
한편 IEEE는 전기·전자·정보통신·컴퓨터 분야의 세계적 전문가 단체다. IEEE에서 발간하는 학술지는 이 분야 세계 최고의 권위를 인정 받고 있다. IEEE는 매년 논문경진대회를 통해 각 분야 전문가들의 연구결과를 공유하는 자리를 마련하고 있다.
