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SK하이닉스는 3일 이천캠퍼스에서 차세대 D램 생산 장비 도입 기념행사를 진행했다고 밝혔다.
회사 측은 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 밝혔다.
반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다. SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다.
이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고, 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.
SK하이닉스는 이번 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고, 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.
차선용 SK하이닉스 CTO는 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 밝혔다.
