삼성·SK 반도체 핵심기술 통째로 中 유출한 일당 기소

검찰, 삼성전자 임원 등 10명 재판에 넘겨
중국 경쟁사, 기술 취득 후 세계 4번째 제작

범행 개요도. /서울중앙지검

삼성전자와 SK하이닉스의 핵심 기술을 빼돌려 중국 경쟁사에 넘긴 삼성전자 임원 등 10명이 재판에 넘겨졌다. 검찰은 세계 1·2위 국내 반도체 회사들이 보유하고 있던 10나노대 D램 공정기술이 통째로 중국에 유출되면서 국가경제에 최소 수십조원의 피해가 발생한 것으로 추산했다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 삼성전자 출신 A씨 등 5명을 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속 기소했다고 23일 밝혔다. 중국 창신메모리(CXMT) 개발팀 직원 등 5명도 같은 혐의로 불구속 기소했다. CXMT는 중국지방정부와 중국 반도체설계회사의 출자를 통해 2016년 설립된 중국 최초의 D램 반도체회사다.

삼성전자 부장 출신인 A씨는 2016년 9월 삼성전자 연구원 출신 B씨와 함께 삼성전자의 18나노D램 공정정보를 불법 취득해 CXMT에 넘긴 혐의를 받는다. 이들이 빼돌린 기술은 삼성전자가 5년간 1조 6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 기술이다.

CXMT는 설립 직후 삼성전자의 핵심인력과 기술정보 확보하기 위한 계획을 세웠고, A씨를 1기 개발실장으로 영입했다. 이후 A씨는 10나노대 D램 공정기술을 빼돌리고자 공정별 핵심 인력 영입에 나섰고, B씨가 해당 기술을 빼돌리며 CXMT로 이직했다.

CXMT는 삼성전자 임직원 3명을 추가로 영입, D램 개발에 착수했다. 개발 과정에서 협력업체를 통해 SK하이닉스의 핵심 기술까지 가져오게 됐고, 이 기술들을 바탕으로 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했다.

검찰 관계자는 "CXMT 개발진에 대한 철저한 수사를 통해 국내에서 발생한 유출 범행은 물론 중국 현지에서 이뤄진 개발범행 전모를 밝혀냈다"며 "국가경제·기술안보를 심각하게 위협하는 산업기술의 국외 유출범죄에 엄정 대응하겠다"고 밝혔다.