DB하이텍, 3분기 실적 ‘껑충’…차세대 SiC·GaN 투자 본격화

3분기 매출 3747억원·영업이익 806억원 기록
전력반도체 중심 견조한 실적
차세대 전력반도체 라인업 확장

DB하이텍이 BCD 수요에 힘입어 3분기 실적 개선세를 이어갔다./DB하이텍

글로벌 반도체 시장의 불확실성 속에서도 DB하이텍이 BCD(전력반도체) 중심의 견조한 수요에 힘입어 3분기 실적 개선세를 이어갔다. 회사는 자동차·산업용 반도체를 중심으로 안정적인 매출 기반을 확보하는 한편 차세대 전력반도체 기술인 SiC(실리콘카바이드)와 GaN(질화갈륨) 분야에서도 중장기 성장동력을 강화할 방침이다.

10일 DB하이텍은 2025년 3분기 연결 기준 매출 3747억원, 영업이익 806억원을 기록했다고 공시했다. 이는 전년 동기 대비 각각 30%, 71% 증가한 수치다. 순이익은 907억원으로 1년 전보다 28% 늘었고, 매출총이익은 1360억원으로 37% 증가했다.

주력인 파운드리 사업 매출은 3199억원으로 전체의 약 85%를 차지했다. 특히 중국의 반도체 자국화 정책에 따른 특수 수요가 이어지고 산업·자동차향 전력반도체 중심의 수요가 확대되면서 전반적인 매출 성장세를 견인했다. 지역별로는 중국이 전체의 67%를 차지했고, 미국과 유럽 시장도 완만한 회복세를 보였다. 반면 국내 DDI(디스플레이 구동칩) 부진의 영향은 제한적이었다.

영업이익률은 22%, 순이익률은 24%로 전년 동기 대비 수익성이 뚜렷하게 개선됐다. 회사는 "고수익 제품 비중 확대와 원가 효율화가 수익성 개선의 핵심 요인"이라며 "AI·산업·자동차 등 고부가 수요 중심의 포트폴리오 전환이 안정적으로 이어지고 있다"고 밝혔다. 다만 자회사 DB글로벌칩은 약 81억원의 영업적자를 기록하며 일부 부담으로 작용했다.

DB하이텍은 차세대 전력반도체 사업을 새로운 성장축으로 삼고 있다. GaN 공정은 올해 4분기 초도 물량 생산과 전략 고객사 대상 MPW(공정 테스트)를 진행하며 2026년 2~3분기 본격 양산을 계획 중이다. SiC 공정은 650V HEMT 기반 제품 개발을 완료하고 자동차 산업향 고객 확보를 추진 중이다. 회사는 "고전압 BCD, SiC, GaN 등 고효율 제품 라인업을 확장해 전력반도체 경쟁력을 높이겠다"고 밝혔다.