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TSMC는 최근 애플, 인텔 등에 자사 시제품을 전달하며 3나노 양산 준비에 나섰다. 삼성전자역시 설계를 마치며 3나노 반도체 생산에 한발 더 다가갔다. 다만 삼성전자가 내년에 생산하는 3나노 반도체는 자사 스마트폰 어플리케이션 프로세서(AP)인 ‘엑시노스’ 등에 주로 적용될 것으로 보여, 본격적인 3나노 수주 경쟁은 내년 이후가 될 것으로 전망된다.
13일 외신 등에 따르면 삼성전자는 최근 중국 상하이에서 열린 ‘파운드리 2021’ 행사에서 회사의 최신 파운드리 로드맵을 공개했다.
삼성전자는 로드맵을 통해 2023년 2세대 3나노 반도체 공정 양산을 시작할 것이라고 밝혔다. 2022년으로 예정됐던 1세대 3나노급 공정의 양산시기는 발표에서 빠졌다.
이에 대해 외신은 1세대 3나노급 반도체가 삼성전자 자체 제품에 쓰일 가능성이 큰 것으로 해석했다.
중국의 IT 전문매체 기즈모차이나는 “삼성이 (1세대 3나노 반도체를) 삼성 스마트폰용으로만 생산한다는 의미일 수 있다”고 전했다.
미국 IT 매체 아난드테크도 “공개 로드맵에 1세대 3나노급 공정이 없다는 것은 다른 초기 공정과 마찬가지로 삼성전자 시스템LSI사업부에서만 사용한다는 의미일 수 있다”며 “일반 고객은 2023년까지 삼성전자의 3나노급 공정을 쓰지 않을 것으로 보인다”고 밝혔다.
이미 삼성전자는 반도체 전자 설계 자동화 업체인 시놉시스와 협력해 3나노 공정 설계를 완성한 것으로 전해진다.
특히 삼성전자는 3나노 공정부터 업계 최초로 차세대 트랜지스터 제조 기술인 게이트 올 어라운드(GAA)를 채택할 계획으로, 이를 적용한 3나노 반도체 양산에 성공하면 기술 면에서 글로벌 1위 파운드리 기업 TSMC를 앞서게 된다. TSMC역시 내년 3나노 양산 계획을 밟혔지만 GAA 전 단계 기술인 핀펫(FinFET) 구조를 채택한다.
전류가 3면에서 흐르는 핀펫 구조와 달리 GAA는 모든 면에서 전류가 흐르는 방식이기 때문에 전력효율을 높이고 데이터 전송을 더 빠르게 한다. 3나노 GAA 공정을 활용하면 기존 5나노급 공정보다 성능은 30% 개선되고, 전력 효율은 50% 가량 향상되는 것으로 알려졌다.
노근창 현대차증권 리서치센터장은 “삼성전자가 내년 하반기께 적용하는 3나노 공정은 자체적으로 엑시노스 등에 우선 활용할 것으로 보인다”고 말했다.
