DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 박차
8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍이 차세대 전력반도체 GaN(갈륨나이트라이드)·SiC(실리콘카바이드)에 대한 개발에 박차를 가하고 있다. DB하이텍은 최근 GaN·SiC 디바이스 제조에 필요한 핵심장비 도입 등 초기 투자를 단행했다고 18일 밝혔다. GaN·SiC 소재 반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G 등..