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2일 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 담당 부사장이 메모리 분야 퍼스트 무버로서 회사의 기술 리더십을 더욱 강화해 나가겠다며 이같이 밝혔다. 차 부사장은 지난달 21일 열린 '2023년 과학·정보통신의 날 기념식'에서 과학기술훈장 혁신장 수훈의 영예를 안았다.
차 부사장은 SK하이닉스에서 10나노급 D램 '테크 플랫폼'을 도입한 주역이다. 테크 플랫폼은 어느 한 세대 제품에만 적용하는 기술이 아니라, 여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 '기술적인 틀'이다. 1세대(1x) D램에 처음 적용된 이 플랫폼은 이후 세대까지 이어지며 SK하이닉스 D램 기술력의 기반이 됐다. 이는 20나노급에서 현재의 10나노급 초미세 D램으로 개발 방식을 완전히 바꾼 혁신인 만큼, 차 부사장이 가장 애정을 쏟았던 프로젝트이다.
이러한 혁신과 성과의 저력으로 차 부사장은 '원팀의 힘'을 꼽았다. 그는 "이 모든 것은 어느 누가 혼자 할 수 있는 일이 아니다"라며 "구성원이 자유롭게 아이디어를 낼 수 있는 환경을 만들고, 그 아이디어를 어떻게 접목하고 풀어낼지 고민하고 도전했던 것이 주효했다. 이것이 반도체 기술 개발에 '원 팀'이 중요한 이유"라고 강조했다.
그는 2019년 8월 당시 최고속 D램인 HBM2E 개발 성공에 기여했다. HBM2E는 FHD 영화 163편을 1초 만에 전송하는 수준의 초고속 메모리로 AI, 딥러닝, 슈퍼컴퓨터 등에 활용된다. 또한 2020년 10월 세계 최초로 16Gb DDR5 D램을 출시한 이후 올해 1월 10나노급 4세대 서버 제품을 인텔에 인증했다. 제품 개발뿐만 아니라 2021년 7월 10나노급 4세대 LPDDR4 양산에 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입해 생산성 및 원가경쟁력 향상에도 기여했다.
차 부사장은 "이 모든 성과는 SK하이닉스가 퍼스트 무버의 위상을 기술력으로 증명했다는 데 의미가 있다"며 "앞으로도 장기적인 전략으로 로드맵을 업데이트해 향후 전개되는 시장 변화에 긴밀하게 대응하고, 기술 한계를 극복해 시장을 선도해 가도록 노력하겠다"고 강조했다.
그는 지난해부터 SK하이닉스 미래기술연구원을 맡아 D램과 낸드를 포괄한 더 큰 미래를 그리고 있다. 차 부사장은 "앞으로 AI 컴퓨팅 시대에 들어서면 데이터는 더욱 증가하고, 이를 효율적으로 처리하기 위한 시장의 요구도 커지게 된다"며 "이런 변화에 대응하기 위해서는 다양한 분야의 전문가, 기업, 학계 등과 경계 없는 파트너십이 필요하다"고 강조했다.
이어 "선제적 기술 협력 강화, 지속가능 경영을 위한 협력 추진 등이 앞으로 경쟁력의 한 축이 될 것이고, 이는 회사를 넘어 한국 반도체 생태계 발전에도 도움이 될 것"이라고 설명했다.
