삼성전자, 8세대 HBM5 모형 공개…“압도적 기술 리더십”

대만 컴퓨텍스서 업계 최초 HBM5 실물모형 공개
HBM4E 웨이퍼 및 칩셋도 전시
HBM 기술 경쟁력부터 저전력D램 등
자사 제품 탑재한 엔비디아 베라루빈 공개로
종합반도체 기술력 강조

송재혁 삼성전자 CTO가 2일(현지시간) 대만 타이베이에서 열린 컴퓨텍스에서 주요 제품 및 기술을 설명하고 있다. /삼성전자

삼성전자가 7세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E 샘플 출하에 이어 그 다음 세대인 HBM5 실물 모형까지 세계 최초로 공개하면서 차세대 메모리 시장 선점 의지를 밝혔다. 새로운 열관리 기술을 적용하며 안정성을 높여 시스템 효율 향상을 꾀할 수 있는 강점을 지닌 만큼 확실한 기술 리더십을 세계에 알리고 나선 것이다.

2일(현지시간) 삼성전자는 대만 타이베이에서 열린 컴퓨텍스2026에 참여해 세계 최초로 HBM5 실물모형을 공개했다. 이날 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 HBM5를 소개하며 차세대 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)가 적용된 제품 구조를 통한 기술 방향성을 설명했따.

HPB는 AI 메모리 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술이다. 열을 보다 효율적으로 분산, 방출하도록 설계됐으며, 삼성의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다는 설명이다.

삼성전자는 이미 샘플로 출하한 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현 및 검증을 마쳤다고도 강조했다.차세대 기술을 실제 제품이 적용해 구조 설계부터 신뢰성, 패키지 안정성까지 검증했다는 의미다.

송 사장은 이러한 빠른 기술 발전이 종합반도체의 역량에서 비롯됐다고도 밝혔다. 제품 설계부터 메모리, 패키징까지 아우르는 역량을 HBM5에 본격 적용해 제품 성능과 안정성을 고도화해 나간다는 계획이다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 웨이퍼 및 칩셋도 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이가 결합된 구조로, 삼성전자만의 토탈 솔루션 경쟁력이 집약된 제품이다. 지난달 29일 최초로 샘플 출하를 마치고, 핀당 14Gbps로 안정적으로 동작하며, 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현 가능한 기술 경쟁력을 입증했다.

한편 이번 삼성전자 컴퓨텍스 전시 공간에는 삼성전자의 제품이 탑재된 엔비디아 베라 루빈도 전시됐다. HBM4부터 소캠(SOCAMM)2, PM1763 등 베라 루빈 시스템을 지원하는 메모리부터 스토리지 포트폴리오를 한번에 소개한 것이다.

특히 지난 2월 삼성전자가 업계 최초로 양산출하한 HBM4는 업계 최고 성능인 11.7Gbps(최대 13Gbps)를 구현해 고객 AI 시스템의 초고속 데이터 처리를 지원한다. 송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 밝혔다.