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보도에 따르면 삼성전자는 중국 시안 공장을 286단 낸드 생산체제로 전환하고 있다. 소식통 1명은 해당 제품의 생산 목표가 웨이퍼 기준 올해 12월 월 5000장, 내년 12월 월 4만장이라고 전했다. 시안 공장의 설비 고도화는 지난해에도 보도된 바 있다.
삼성전자는 로이터에 "미국을 포함한 글로벌 고객의 증가하는 수요에 대응하기 위한 것"이라며 "생산능력을 확대하거나 새로운 제조시설을 건설하는 것은 아니다"라고 밝혔다. 구체적인 생산계획은 공개하지 않았다.
SK하이닉스는 다롄 공장의 생산 제품을 현재 192단에서 240단 이상 낸드로 전환하는 방안을 추진하고 있다고 소식통들은 전했다.
SK하이닉스는 다롄 공장 투자가 기존 계획에 따른 장비 도입이라는 입장이다. 앞서 다롄 공장 부지 내 장비 반입 보도 당시 회사는 "2023년 건설이 완료된 다롄 Mod B 팹에 대한 확장은 고려하지 않고 있으며, Mod B향 장비 도입은 미국 정부와의 협의 및 허가하에 진행되고 있다"고 설명했다. 새로운 증설 계획보다는 기존 설비 투자를 이어가는 차원이라는 취지다.
양사는 미국산 반도체 제조장비를 중국에 반입하려면 매년 미국 정부의 허가를 받아야 한다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 지난해 중국 내 기존 공장 운영은 허용하되 생산능력 확대와 기술 고도화는 허용하지 않겠다는 방침을 밝혔다. 로이터는 이번 설비 투자에 필요한 장비에 대해 미국 당국이 어느 범위까지 수출허가를 내줬는지는 확인하지 못했다고 전했다.
한편 시장조사업체 옴디아에 따르면 중국 양쯔메모리(YMTC)의 중국 낸드 시장점유율은 지난해 연간 28%에서 올해 2분기 38.5%로 높아지며 삼성전자를 넘어섰다. 같은 비교 기준에서 삼성전자 점유율은 36%에서 33.5%로, SK하이닉스는 20%에서 17%로 낮아졌다.
