세계반도체연합(GSA) '2021 GSA 메모리 플러스 온라인 컨퍼런스' 연설
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한진만 부사장은 15일 세계반도체연합(GSA)이 개최한 ‘2021 GSA 메모리 플러스 온라인 컨퍼런스’에서 “삼성전자는 극자외선(EUV) 공정 확대, 하이케이메탈게이트 공정 정교화, 패키지 기술 개선으로 D램 공정의 한계를 극복해왔다”고 말했다.
삼성전자 세계 최초로 D램 공정에 EUV 장비를 적용했다. 한 부사장은 “EUV 장비로 기존 ArF-1공정보다 더 미세한 회로를 그릴 수 있게 됐다”며 “이는 동일 회로에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다는 의미”라고 설명했다.
하이케이메탈게이트(HKMG) 공정은 유전율이 매우 높은 물질로 트랜지스터의 성능과 에너지 효율을 높이는 혁신 기술이다. 한 부사장은 “HKMG 공정을 통해 전력 효율을 기존보다 13%나 개선했다”며 “스마트폰, 데이터 센터용 메모리 반도체의 전력 효율이 크게 높아졌다”고 했다. D램 패키지 기술도 삼성전자의 경쟁력 중 하나다.
한 부사장은 세 가지 경쟁력을 바탕으로 인공지능, 자율주행, 5G 등 데이터 생산량 급증에 대응하겠다고 밝혔다. 그는 “팬데믹 상황으로 데이터 생산량의 급격히 증가하고 있다”며 “삼성전자는 이러한 수요를 충족시킬 준비가 돼있다”고 말했다.
