불황기 ‘역발상 투자’…삼성, 세상에 없는 기술로 ‘혁신 중’

PC·노트북 D램 시장의 판도 바꿀 비밀병기 'LPCMM'
과거 시장의 틀을 바꿔 버리는 혁신 주도
2013년 삼성 V낸드 업계 최초 양산
40년 만에 D램 용량 50만배 늘려

삼성전자 서초사옥 전경./연합뉴스

위기일수록 과감한 '역발상 투자'로 30년간 메모리 시장 선두를 수성해 온 삼성전자가 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 비밀병기를 내놨다. 이번 불황에도 어김 없이 세상에 없는 기술로, 첨단 메모리 솔루션 혁신에 성공했다는 평가다.

26일 삼성전자와 업계에 따르면 삼성이 세계 최초로 개발한 새로운 폼팩터 LPCAMM 등장은 PC, 노트북 시장의 판도를 바꿀 게임체인저가 될 것이란 기대를 모은다. 날이 갈수록 경량화, 저전력화되고 있는 PC·모바일 제품 트렌드 변화에 부합하하는 제품이라서다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 노트북 시장에서 '초슬림' 노트북이 차지하는 비중은 2023년 64%에서 27년 88%, 연평균 약 14%로 크게 증가할 것으로 전망된다. 가뜩이나 AI의 등장으로 성능과 전력효율의 기술적 개선이 더욱 가파르게 요구되고 있는 추세다. 시장조사업체 스태티스타에 따르면 글로벌 데이터량은 올해 100ZB(제타바이트)를 넘어설 전망이고, 2010년 2ZB 수준에 불과했지만 2025년에는 181ZB까지 급증할 것으로 전망된다.

삼성이 주도하는 혁신은 과거 시장의 틀을 완전히 바꿔 버리는 파괴적인 형태로 진행돼 왔다. 과거 낸드플래시 공법으로 트렌치와 스택 중 어떤 것을 선택해야 하는지 어려운 상황에서 당시 경영진은 스택 방식을 채택, 향후 스택 방식이 낸드플래시 시장의 주력이 됐다. 당시 삼성보다 앞서있던 기업중 트렌치 방식을 선택한 기업들은 시장에서 퇴출된 바 있다.

2013년 삼성은 V낸드를 업계 최초로 양산에 성공하면서 평면에서 수직으로 기술적 대변혁을 일으켰다. 삼성전자는 시장이 요구하는 고집적·고용량을 만족하기 위해 각 세대별 발전을 거듭하며 초고난도 낸드플래시 기술을 확보해왔고 그렇게 2022년 발표한 8세대 V낸드는 3차원 스케일링 기술과 셀 체적 감소에 따른 간섭 현상 제어 기반 기술을 확보하는 등 더 차별화된 제품과 솔루션을 적기에 출시하고 있다.

지난해 테크데이에선 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝히기도 했다. 삼성전자는 2003년부터 현재까지 21년간 플래시 메모리 1등 리더십을 수성하고 있다.

D램 분야에서 모두가 물리적 한계로 극복하기 어려울것이라는 10나노급 진입도 가장 빨랐다. 2020년 업계 최초 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사에게 공급했고, 최선단 14나노 D램에는 업계 유일 EUV 멀티레이어 공정을 적용했다. 지난 1일에는 업계 최초 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발 성과를 세상에 공개했다. 1983년 64Kb D램 개발 후 2023년 32Gb D램 개발로 40년 만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과다.

저전력 역시 삼성전자의 전공분야다. PC에서 모바일 시대로 전환하는 시기 삼성전자는 일찍부터 모바일 시대에 대비하기 위해 저전력 솔루션 확보에 공을 들였다. 모바일 시대가 본격적으로 시작하고 삼성전자의 저전력 메모리 솔루션은 모바일 고객들의 핵심 부품으로 자리 잡았다. 삼성전자는 2023년 1분기 기준 저전력 D램 점유율 57.6%을 기록, 최근 메모리 반도체 불황속에서도 압도적 1위를 유지하고 있다.

업계 관계자는 "삼성전자는 혁신적인 제품인 HBM, GDDR, CXL 등 D램 분야에서 다양한 솔루션을 제시하며 첨단 메모리 생태계를 리딩하고 있다"며 "최근에는 AI 및 클라우드 성장에 발맞춰 다양한 AI 특화 메모리 미래 기술을 확보해나가고 있다"고 말했다.