CEO 방한, 삼성·SK 협력 확대 논의
국내 반도체 장비 운용 안정성 기대
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12일 업계에 따르면 크리스토프 푸케 ASML CEO는 이날 오전 경기도 화성 송동에서 열린 'ASML 화성캠퍼스 준공식'에 참석한 뒤 오후에는 전영현 삼성전자 부회장과 회동을 가졌다. 전날에는 곽노정 SK하이닉스 사장을 만나 향후 협력 방향을 논의한 것으로 알려졌다.
ASML은 반도체 초미세공정 구현에 필수적인 극자외선(EUV) 노광장비를 전 세계에서 유일하게 생산한다. 이 장비는 2나노 이하 시스템 반도체나 10나노 이하 메모리 반도체 공정에 반드시 필요한 핵심 설비다. ASML은 이 같은 독점적 지위 때문에 업계에서는 '슈퍼 을(乙)'로 불리며, 글로벌 주요 고객사들은 ASML과의 파트너십을 기술 경쟁력 확보의 관건으로 본다.
총 2400억원이 투입된 ASML 화성캠퍼스는 심자외선(DUV)·EUV 장비의 부품 재제조와 첨단 기술 교육 기능을 수행하며, 한국 반도체 공급망 안정성과 기술 내재화에 기여할 것으로 기대된다. ASML은 이날 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업과의 기술 교류를 강화하고 소재·부품·장비(소부장) 생태계와 연계하는 협력 모델을 본격화하겠다고 밝혔다. 산업통상부는 "EUV 장비 생태계는 한국 반도체 산업의 전략적 기반"이라며 "정부 차원에서도 외국인 투자와 기술협력 지원을 강화하겠다"고 밝혔다.
업계는 이번 캠퍼스 준공이 운용 효율성과 기술 지원 강화에 의미가 있다고 봤다. EUV 장비는 워낙 복잡하고 정밀해 공정 중 부품 교체·보정·수리가 빈번히 이뤄지는 만큼, 현지 엔지니어링 거점이 생기면 삼성전자와 SK하이닉스 모두 안정적인 장비 운용 환경을 확보할 수 있다는 얘기다. 업계 관계자는 "EUV는 많이 확보하는 것도 중요하지만 얼마나 정밀하게 다루느냐도 경쟁력의 핵심"이라며 "ASML이 국내에 상시 기술지원 거점을 마련함으로써 엔지니어 교류와 장비 유지보수 효율이 높아질 것"이라고 말했다.
삼성전자와 SK하이닉스는 이미 차세대 '하이 NA(High Numerical Aperture) EUV' 장비를 실전에 투입하며 기술 경쟁력을 강화하고 있다. 삼성전자는 올해 초 처음 국내 라인에 하이 NA 장비를 반입한 데 이어 연내 양산용 장비를 추가 도입할 계획이다. 파운드리(반도체 위탁생산) 부문에서는 2나노 공정의 성능과 수율 개선에, 메모리 부문에서는 AI 확산에 따른 고성능 D램 고도화에 장비를 활용한다.
SK하이닉스는 지난 9월 이천 M16 팹(공장)에 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'를 반입해 업계 최초로 하이 NA EUV 양산 공정에 돌입했다. 이 장비는 기존 EUV보다 40% 높은 광학 성능(NA 0.55)을 구현해 1.7배 정밀한 회로 패턴을 형성할 수 있으며 공정 단순화와 집적도 향상 효과를 함께 기대된다.
업계 관계자는 "ASML은 중국 수출 제한으로 주요 시장이 줄어든 상황에서 한국 고객사와의 협력을 통해 기술 리스크를 완충할 수 있을 것"이라며 "또한 삼성전자와 SK하이닉스 역시 하이 NA 세대에서 장비·공정 경쟁력을 선점할 수 있는 계기가 될 것으로 보인다"고 전했다.














