삼성전자는 31일 올해 3분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "V7, V8 낸드 등 선단 공정 전환을 가속화하고 있다"며 "선단공정 전환에 있어 미국 정부가 검증된 최종 사용자(VEU)로 지정하면서 중국 시안 공장이 불확실성이 해소되며 선단공정 전환이 향후 강화될 것"이라고 말했다.
이어 "원가 및 제품경쟁력 강화를 위해 V9 낸드 개발에도 박차를 가하고 있다"며 "최소한의 스태킹으로 높은 단수의 셀 쌓는 게 핵심이다. 독보적인 에칭 기술로 싱글 스택에서 160단 이상 구현해 더블 스택만으로 300단 수준의 V9 양산 동작칩을 성공적으로 확보했다"고 설명했다.
이어 "V9에서 당사 강점인 원가 경쟁력 및 대응력은 강화 될 것으로 기대한다"며 "전세대 대비 최대 라이트 퍼포먼스 20% 소모전력 15% 개선했다"고 했다.