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27일 SK하이닉스 뉴스룸에 게재된 인터뷰에서 손 부사장은 급변하는 AI 시대에서 SK하이닉스의 역할도 점차 변화하고 있다고 했다. 지금까지의 단순 제품 공급자를 넘어 '토털 AI 메모리 프로바이더'로 자리매김해야 한다는 것이다. 손 부사장은 "작년 어드밴스드 패키지 기술을 개발할 때만 해도, 이를 공정 기술과 엮는 통합 작업을 한 조직에서 담당했다"며 "이는 개발 초기에 시행착오를 줄일 수 있는 방법이긴 하지만, 기술이 고도화되고 다양해질수록 효율성과 전문성에서 약점을 가지고 있다. 고객별로 특화된 AI 메모리를 개발하기 위해서는 기술의 유연성과 확장성이 중요해지고 있어 기존 방식을 벗어난 접근법이 필요하다"고 강조했다.
손 부사장은 HBM의 핵심 기술이라 불리는 TSV와 SK하이닉스 독자 기술인 MR-MUF의 도입 초기 단계부터 개발을 이끌어 오며, 회사 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하는 데 큰 역할을 한 인물이다. 그는 지난해 HBM의 핵심 요소 중 하나인 어드밴스드 패키지 기술 개발 공로를 인정받아 '해동젊은공학인상'을 수상하기도 했다.
손 부사장은 AI 기술이 여러 영역에서 활용되는 만큼 이를 구현하기 위한 하드웨어 역시 다변화하고 있다고 말했다. 그는 "이러한 흐름에 선제적으로 대응하기 위해 기존 조직을 세분화하고 각 조직마다 전문성을 향상시킬 계획"이라고 말했다.
손 부사장은 10여년 전 1세대 HBM 개발부터 참여했다. 그는 "개인적으로 생각하는 가장 큰 성과는 10여 년 전 1세대 HBM 개발"이라며 "당시 아무것도 없는 상태에서 무에서 유를 창조하듯 개발에 힘썼다"고 회상했다. 이어 "수많은 시행착오와 실패 속에서도 포기하지 않고, 더 나은 방향으로 이끌어온 덕분에 5세대 HBM3E와 어드밴스트 패지키 기술을 성공적으로 개발할 수 있었다"고 말했다.
HBM은 여러 개의 D램 칩을 TSV로 수직 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 올해 양산 예정인 HBM3E는 HBM3의 확장된 버전이다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통 전극으로 연결하는 기술이다.
어드밴스드 패키지는 고용량 확보를 위한 웨이퍼 집적도 기술의 한계를 해소하면서 고성능 제품의 시장 요구를 충족시키기 위해 등장한 반도체 패키지 솔루션이다.
손 부사장은 AI 시대에서도 지금까지 보여준 '포기하지 않는 도전정신'이 필요하다고 강조했다. 손 부사장은 "회사가 HBM의 가치에 대해 확신을 갖고 끝까지 개발을 이어왔던 것처럼, 저는 앞으로도 급변하는 AI 시대를 이끌어갈 차세대 AI 메모리 기술 개발에 힘쓰도록 하겠다"고 다짐했다.
